功率半導體雙脈沖測試分析
設計功率轉換器時,理想狀態下的功率損失為0%,如圖2 所示。

然而,開關損耗是不可避免的。因此,目標是通過設計 優化來*小化損失。與效率相關的設計參數必須經過嚴 格的測量。 典型的轉換器效率約為87% 到90%,這意味著10% 到 13% 的輸入功率在轉換器內部消耗掉,大部分以廢熱的 形式。這種損失的一大部分發生在開關設備如MOSFET 或IGBT 上。[2]
理想情況下,開關設備只有“開”或“關”兩種狀態,如 圖3 所示,并能瞬間在這兩種狀態間切換。在“開”狀態時, 開關的阻抗為零歐姆,無論通過開關的電流有多大,都不 會在開關中耗散任何功率。在“關”狀態時,開關的阻抗 為無限大,無電流流過,因此不耗散任何功率。 然而,實際上在“開”到“關”(關斷)和“關”到“開”(開 通)的轉換過程中會耗散功率。這些非理想行為是由于電 路中的寄生元件造成的。如圖4 所示,門極上的寄生電容 會減緩器件的切換速度,延長開通和關斷時間。MOSFET 的漏極和源極之間的寄生電阻在漏電流流動時會耗散功 率。
還需要考慮MOSFET 體二極管的反向恢復損失。二極 管的反向恢復時間是衡量二極管切換速度的一個指標, 因此會影響轉換器設計中的切換損失。
因此,設計工程師需要測量所有這些時間參數,以盡量 減少切換損失,從而設計出更高效的轉換器。
**的測試方法來測量MOSFET 或IGBT 的切換參數 是“雙脈沖測試”方法。本應用說明將描述雙脈沖測試 及其實施方式。具體來說,本應用說明將解釋如何使用 Tektronix AFG31000 任意函數發生器生成脈沖,并使 用4、5 或6 系列MSO 示波器測量重要參數。
什么是雙脈沖測試?
雙脈沖測試是一種測量功率設備的切換參數和評估動態 行為的方法。使用這種應用的用戶通常希望測量以下切換 參數:
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開通參數:開通延遲(t d(on))、上升時間(tr)、開通時間(t on)、 開通能量(Eon)、電壓變化率(dv/dt)和電流變化率(di/ dt)。然后確定能量損失。
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關斷參數:關斷延遲(td(off ))、下降時間(tf)、關斷時 間(toff)、關斷能量(Eoff)、電壓變化率(dv/dt)和電 流變化率(di/dt)。然后確定能量損失。
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反向恢復參數:反向恢復時間(trr)、反向恢復電流(Irr)、 反向恢復電荷(Qrr)、反向恢復能量(Err)、電流變化率(di / dt)和正向導通電壓(Vsd)。
此測試的執行目的是:
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保證像MOSFET 和IGBT 這類功率設備的規格。
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確認功率設備或功率模塊的實際值或偏差。
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在各種負載條件下測量這些切換參數,并驗證多個設備的 性能。
圖5 展示了一個典型的雙脈沖測試電路。
圖5:雙脈沖測試電路。
該測試使用感應負載和電源進行。電感用于復制轉 換器設計中的電路條件。電源用于向電感提供電壓。 AFG31000 用于輸出脈沖,這些脈沖觸發MOSFET 的 門極,從而使其開啟并開始導電。

圖6 展示了使用MOSFET 進行雙脈沖測試時不同階段 的電流流向。使用IGBT 作為待測設備時的電流流向如 圖7 所示。

圖8 展示了在低側MOSFET 或IGBT 上取得的典型測量數據。以下是雙脈沖測試的不同階段(這些階段對應圖6、 圖7 和圖8)
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**步,由**次開**沖代表,是初始調整的脈寬。這 建立了電感中的電流。調整此脈沖以達到圖8 所示的所需 測試電流(Id)。
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**步(2)是關閉**個脈沖,這在自由輪二極管中產 生電流。關斷周期很短,以保持電感中的負載電流盡可能 接近恒定值。圖8 顯示低側MOSFET 上的Id 在**步 歸零;然而,電流通過電感和高側二極管流動。這可以在 圖6 和圖7 中看到,電流通過高側MOSFET(未被開通的 MOSFET)的二極管流動。
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第三步(3)由**次開**沖代表。脈沖寬度比**次脈 沖短,以防設備過熱。**個脈沖需要足夠長,以便進行 測量。圖8 中看到的電流超調是由于高側MOSFET/IGBT 的自由輪二極管反向恢復所致。
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然后在**次脈沖的關斷和**次脈沖的開通時捕獲關 斷和開通時間測量。
下一部分將討論測試設置和測量方式。
雙脈沖測試設置
圖9 展示了進行雙脈沖測試的設備設置。需要以下設備:
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AFG31000:連接到隔離門驅動器,并使用設備上的雙脈 沖測試應用快速生成不同脈寬的脈沖。隔離門驅動器用于 開通MOSFET。
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示波器:4/5/6 系列MSO(此設置使用Tektronix 5 系列 MSO):測量VDS、VGS 和ID。
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示波器上的雙脈沖測試軟件:4/5/6 系列MSO 上的Opt. WBG-DPT,用于自動化測量。
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用于低側設備和高側二極管反向恢復的探頭:
低側探測:
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– Ch1:VDS - TPP 系列或THDP/TMDP 系列電壓探頭
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– Ch2:VGS - TPP 系列或帶MMCX 適配器**的TIVP 隔 離探頭。
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– Ch3:ID - TCP 系列電流探頭
高側探測:
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– Ch4:IRR - TCP 系列電流探頭
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– Ch5:VDS - THDP/TMDP 系列電壓探頭
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直流電源
高壓電源:
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– EA-PSI 10000 可編程電源,*高2 千伏,30 千瓦
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– 2657A 高壓源表單元(SMU),*高3 千伏
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– 2260B-800-2,可編程直流電源,*高800 伏
門驅動電路電源:

AFG31000 上的雙脈沖應用
AFG31000 的雙脈沖測試應用可以直接從tek.com 網站下載,并安裝到AFG31000 上。圖10 展示了雙脈沖測試應 用在AFG31000 主屏幕上的圖標,該應用被下載并安裝到設備上后即可見。
雙脈沖測試應用讓用戶能夠創建具有不同脈寬的脈沖,這一直是主要的用戶痛點,因為創建具有不同脈寬的脈沖的 方法耗時。這些方法包括在PC 上創建波形并上傳到函數發生器。其他方法是使用需要大量編程工作和時間的微控 制器。AFG31000 上的雙脈沖測試應用使得用戶能夠直接從前端顯示屏進行操作。該應用直觀且快速設置。**個 脈寬調整以獲得所需的開關電流值。**個脈沖也可以獨立于**個脈沖進行調整,通常比**個脈沖短,以防止功 率設備被破壞。用戶還可以定義每個脈沖之間的時間間隔。
圖11展示了雙脈沖測試應用窗口。在這里,用戶可以設置:
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脈沖數量:2 至30 脈沖
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高低電壓幅度(V)
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觸發延遲(秒)
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觸發源 - 手動、外部或定時器
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負載 - 50Ω 或高阻(high Z)
圖12 展示了雙脈沖測試的實際測試設置。
圖12 展示了雙脈沖測試的實際測試設置。
在這個例子中,使用ST Micro-Electronics 的評估板作為N 溝道功率MOSFET 和IGBT 的門驅動器:EVAL6498L, 如圖13 所示。
使用的MOSFET 也來自ST Micro-Electronics: STFH10N60M2。這些是N 溝道600V MOSFET,額定 漏電流為7.5A。
測試電路中使用的其他設備和器件包括:
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脈泰克(Tektronix) 4、5 或6 系列MSO 示波器
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泰克電流探頭TCP0030A-120 MHz
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泰克高壓差分探頭:TMDP0200
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凱斯利(Kiethley) 直流電源 - 2280S(為門驅動IC 供電)
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凱斯利2461 SMU 儀器(為電感供電)
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電感:約1 mH
電源連接如下:
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MOSFET 焊接在電路板上。Q2 是低側,Q1 是高側。
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Q1 的門和源需要短接,因為Q1 不會被打開。
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Q2 的門電阻已焊接。R = 100Ω。
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AF31000 的CH1 連接到評估板上的PWM_L 和GND 輸 入。
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凱斯利電源連接到評估板上的Vcc 和GND 輸入,為門驅 動IC 供電。
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凱斯利2461 SMU 儀器連接到HV 和GND,為電感供電。
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然后將電感連接到HV 和OUT。
雙脈沖測試測量
一旦所有電源連接都已**連接,我們可以將示波器的 探頭連接到Q2(低側MOSFET),如圖14 所示。
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一個被動探頭連接到VGS。
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差分電壓探頭連接到VDS。
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TCP0030A 電流探頭通過 MOSFET源引腳上的環路。
細心的探測和優化將幫助用戶獲得好的結果。用戶可以 采取一些步驟來進行準確和可重復的測量,如從測量 中移除電壓、電流和時間誤差。如4/5/6 系列MSOs 的 WBG-DPT 選項的自動化測量軟件消除了手動步驟,節 省時間并提供可重復的結果。
現在可以在AFG31000 上設置雙脈沖測試,如圖15 所 示的屏幕捕獲。
脈沖的幅度設置為2.5 伏。**個脈沖的脈寬設置為10 微秒,間隙設置為5 微秒,**個脈沖設置為5 微秒。觸發 設置為手動。
SMU 儀器設置為向HV 源輸入100 伏。配置好門驅動信號和電源后,現在可以使用示波器上的WBG-DPT 應用來配 置和執行雙脈沖測試。
/5/6 系列MSO 上的雙脈沖測試軟件
WBG-DPT 應用相較于手動測試提供了幾個重要優勢:
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縮短測試時間
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即使在帶有振鈴的信號上也能實現可重復的測量
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根據JEDEC/IEC 標準或使用自定義參數進行測量
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預設功能以便于示波器設置
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在脈沖之間和注釋之間輕松導航
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在結果表中總結測量結果
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通過報告、會話文件和波形記錄結果
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完整的編程接口實現自動化
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使用可配置的限制和對失敗采取的行動進行合格/ 不合 格測試
有關WBG-DPT 應用的更多信息,請參閱數據表。
測量分為開關參數分析、開關定時分析和二極管恢復分 析。
WBG Deskew 功能
脈沖的幅度設置為2.5 伏。**個脈沖的脈寬設置為 10 微秒,間隙設置為5 微秒,**個脈沖設置為5 微秒。 觸發設置為手動。
SMU 儀器設置為向HV 源輸入100 伏。配置好門驅動 信號和電源后,現在可以使用示波器上的WBG-DPT 應 用來配置和執行雙脈沖測試。
圖17. WBG Deskew 過程專門用于雙脈沖測試,并在信號被獲 取后實現電流和電壓波形的對齊。